การวิเคราะห์โครงสร้างจุลภาคของวัสดุ

บริการเตรียมตัวอย่าง FIB ระดับเวเฟอร์ขั้นสูง{0}}และบริการวิเคราะห์ TEM ให้การเตรียมตัวอย่างที่แม่นยำและโซลูชันการวิเคราะห์โครงสร้างสำหรับชิปกระบวนการขั้นสูง โดยดำเนินการเตรียมตัวอย่าง FIB

GRGTEST Metrology ให้บริการวิเคราะห์ลำแสงไอออนแบบเน้นลำแสงคู่ (DB-FIB) แบบมืออาชีพ บริการทดสอบยอดนิยม ได้แก่ ส่วนตัวอย่าง TEM สำหรับกระบวนการขั้นสูง (14 นาโนเมตรและต่ำกว่า), การวิเคราะห์ FA ฮอตสปอต

กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน (TEM) ได้กลายเป็นเครื่องมือวิเคราะห์ที่ขาดไม่ได้ในด้านวัสดุและเซมิคอนดักเตอร์

อุปกรณ์แยกแผ่นเวเฟอร์และบริการสร้างภาพ SEM เป็นการสนับสนุนทางเทคโนโลยีที่สำคัญสำหรับวัสดุศาสตร์ อุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ และการวิจัยทางชีวการแพทย์ และเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสังเกตโครงสร้างภายใน

กล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม Bruker Dimension ICON6 รองรับ 12 โหมด รวมถึงการสัมผัส การต๊าป และการต๊าปด้วยแรงสูงสุด เพื่อตอบสนองความต้องการในการทดสอบของตัวอย่างที่แตกต่างกัน

EDS ย่อมาจาก Energy Dispersive Spectrometer ซึ่งเป็นวิธีวิเคราะห์สเปกโทรสโกปีการกระจายพลังงานรังสีเอกซ์- หลักการของมันขึ้นอยู่กับข้อเท็จจริงที่ว่าองค์ประกอบต่างๆ

Compared to traditional gallium-ion focused ion beam (Ga-FIB), PFIB utilizes a more powerful xenon (Xe) ion beam, achieving a maximum current of 2.5 μA at 30 keV energy, which increases its etching