ระบบไดรฟ์ไฟฟ้ายานยนต์มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องไปสู่แรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้น (1200V) และระดับการรวมที่สูงขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งการรวมกันที่สูงของ "แพ็คเกจสารตั้งต้นแบบฝังตัว" นำมาซึ่งความได้เปรียบที่หาที่เปรียบมิได้มากกว่าบรรจุภัณฑ์แบบดั้งเดิม: ขนาดเล็กการกระจายความร้อนที่ดีขึ้นประสิทธิภาพทางไฟฟ้าที่เหนือกว่า (การเหนี่ยวนำต่ำความต้านทานต่ำ) และความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น ในขณะเดียวกันแอปพลิเคชันแรงดันไฟฟ้าที่มีการบูรณาการสูงและสูงขึ้นก่อให้เกิดความท้าทายใหม่ ๆ กับลักษณะฉนวนของบรรจุภัณฑ์รูปแบบใหม่เหล่านี้: การปลดปล่อยบางส่วน
มันเป็นเพราะการยกเลิกขอบที่ส่วนต่อประสานของวัสดุบรรจุภัณฑ์ที่แตกต่างกันในขณะที่เปลี่ยนไปใช้วัสดุอื่น ๆ ที่มีคุณสมบัติไดอิเล็กทริกที่แตกต่างกันซึ่งทำให้เกิดความเข้มข้นสูงของสนามไฟฟ้าที่ส่วนต่อประสาน โดยเฉพาะอย่างยิ่งในตำแหน่งที่มีข้อบกพร่องในท้องถิ่นด้วยกล้องจุลทรรศน์ (ฟอง, รอยแตก, สิ่งสกปรก ฯลฯ ) ภายในระบบฉนวนภายในของบรรจุภัณฑ์ การเกิดขึ้นของการปล่อยบางส่วนจะส่งเสริมการปล่อยคาร์บอเนตของวัสดุบรรจุภัณฑ์รอบ ๆ ชิปและในกรณีที่รุนแรงการปล่อยพลังงานชั่วคราวของสนามไฟฟ้าสูงสามารถทำลายขอบชิปด้วยการป้องกันการเคลือบที่ไม่ดี
GRGTEST ตามพื้นฐานนี้การวิจัยเพิ่มเติมตรวจสอบปรากฏการณ์ของการปล่อยในท้องถิ่นของบรรจุภัณฑ์ชิป VSIC 1200 VSIC ในโครงสร้างเวทีแผ่นฝังตัว จากการวิจัยเชิงลึกเราตรวจสอบว่าการทดสอบการปลดปล่อยในท้องถิ่นรวมกับการวิเคราะห์ทางกายภาพแบบทำลายล้างอาจเป็นการวิเคราะห์ที่มีประสิทธิภาพหมายถึงการตรวจสอบว่าโครงสร้างบรรจุภัณฑ์พิเศษดังกล่าวมีข้อบกพร่องด้วยกล้องจุลทรรศน์หรือไม่ ผลการทดสอบที่เกิดขึ้นจริงไม่เพียง แต่ยืนยันตำแหน่งความล้มเหลวทั่วไปและสัณฐานวิทยาที่ระบุโดยการจำลองสนามไฟฟ้าข้างต้น แต่ยังชี้แจงเพิ่มเติมเกี่ยวกับโหมดความล้มเหลวทั่วไปที่เกิดจากข้อบกพร่องของหลุมบรรจุภัณฑ์รอบ ๆ ชิป
ศูนย์แห่งนี้วางเทคโนโลยีชายแดนออกมาอย่างแข็งขันและได้สะสมประสบการณ์การวิเคราะห์ที่หลากหลายในสาขาบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงเช่นบรรจุภัณฑ์พลังงานและ 2.5D ในเวลาเดียวกันใกล้กับแนวหน้าการวิจัยและพัฒนาลูกค้าความร่วมมือเชิงลึกเพื่อดำเนินการวิเคราะห์และตรวจสอบที่ไม่ได้มาตรฐาน
